工研院電光所目前在執行綠能電子國家型計畫，發展車用IGBT功率模組，在電性設計、熱傳及可靠度設計方面有豐富經驗，同時在組裝製程技術與可靠度測試方面，也有堅強的實力。IGBT power module需流通的大電流，因此需用粗鋁線(300~500um)做為晶片、基板及電極的連接. 封裝製程之Fluxless無鉛銲錫固晶困難點在於銲點氣孔面積之控制低於5%之技術難題. IGBT模組在使用過程中的最高Junction溫度為150-250℃,具高熔點與高強度特性的錫銀系無鉛銲錫，錫膏中的助銲劑是接點中孔隙的來源，且高溫迴銲製程將引發殘留應力與介金屬過度成長，導致界面缺陷生成等疑慮，進而衍生長期可靠性問題。
在此，我們誠摯邀請您撥冗參加此盛會，並藉此機會與國內相關產業的先進作技術交流，期能促成上下游廠商的合作串連，紮根國內，跨足國外！
【議 程】
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時 間
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議 題 名 稱
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講 師
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13:00~13:30
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Registration
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13:30~13:40
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Opening
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駱韋仲 組長/電光所
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13:40~14:20
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・Bump Plating technique for Power Devices
・Ag-Pd-Cu（APC） alloy etching technique (中文 or 英文)
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Mr Nishimura、Mr Nishi、Kura / 太洋新技
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14:20~15:00
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功綠率模組研發現況與未來趨勢
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張道智 經理 /電光所
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15:00~15:20
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Break
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15:20~16:00
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Introduction to 3D-IC ICF Materials for Advanced Technology Node (英文)
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Mr Kiritani、Mr Kawase /太洋新技
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16:00~16:40
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Q & A
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駱韋仲 組長/電光所
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