2015/05/06 01:55-蘇彙棻

三星電子(Samsung Electronics)加快動作拉開與其他業者之間的半導體技術差距，在率先全球量產14奈米(nm)鰭式場效晶體管(FinFET)與3D V-NAND後，48層3D V-NAND、10奈米FinFET與18奈米DRAM將是三星電子接下來的開發目標。

據ET News報導，代號V3的48層3D V-NAND已經完成內部量產準備，可望率先登場。三星電子也將在短期內確定大陸西安的48層3D V-NAND新廠投資計畫。目前西安NAND廠每月量產規模約5萬片，若追加3萬片規模的48層3D V-NAND設備，等於2015年底每月可生產8萬片V-NAND，在市場上更有競爭力。

三星電子在2013年5月率先全球量產32層V-NAND，接著2014年10月量產結合3bit技術的128GB 32層V-NAND，在全球V-NAND市場率先開戰。據了解，預定在下半年投入量產的48層V-NAND，在試量產的良率突破80%，因而追加量產投 資。

由於SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)與新帝(SanDisk)等競爭業者，計劃在下半年投入3D NAND量產，因此三星電子加速量產48層V-NAND，維持領先的策略可望奏效。

業界也預期，西安廠可能投資為更長期的64層V-NAND量產預先準備。業界有關人士表示，64層V-NAND目前仍在研發階段，但進行得很順利。

傳與Exynos應用處理器(AP)及代工事業相關的14奈米FinFET製程技術，也將進化到10奈米級，可望在2016年底量產10奈米 FinFET。另外，14奈米FinFET營收佔比也快速上升，目前量產中的12吋14奈米FinFET，在系統LSI事業部2015年營收佔比可望達到 30%。

系統LSI行銷組長洪圭世(譯名)表示，有了14奈米FinFET的成功經驗，10奈米製程也可望快速完成量產準備。

此外10奈米級DRAM即將上市的傳聞也甚囂塵上。最近業界預測三星電子已完成18奈米DRAM開發，正在進行量產準備。相關人士表示，雖然不能斷定就是18奈米，但研究所確實在研發10奈米級DRAM，不過2015年內將不會有樣品產生。