2015/05/12-陳思齊

三星電子(Samsung Electronics)平澤半導體園區預計於2017年正式啟動，三星能否透過平澤產線雙管齊下，擴大記憶體生產量、強化非記憶體事業競爭力，在全球市場上超越英特爾(Intel)成為真正的綜合半導體第一，更是備受外界注目。

 

根據多家韓媒報導，三星日前在位於南韓京畿道平澤的古德國際化企劃地區產業園區內，舉辦次世代半導體產線的動土儀式。除三星電子副會長李在鎔等相關高層人員外，南韓總統朴槿惠等政府高層也都出席。

ET News指出，此次三星所打造的平澤半導體產線，將提供全球設備、材料業者成長的機會，而除了下游產業外，上游產業也都將在這個半導體生態界裡雨露均霑。
 

舉例來說，連接華城、器興園區的三星半導體協力廠活動範圍也將擴及到平澤，並有望大幅擴張事業，尤其是設備與材料業者將成為最大的受惠對象。值得注意的 是，平澤第一期產線並不僅只投入15兆韓元，若包含週邊的基礎建設，投資金額將會高達100兆韓元，將有機會可以直接促進週邊地區的繁榮。

三星計劃2017年完成平澤半導體園區第一期建設，如果順利投產的話，DRAM生產量將有望達到雙位數字的成長。此外，雖然尚未拍板定案，如果連系統晶片 產線也一同建設的話，在14奈米FinFET製程基礎下，三星晶圓代工以及自家研發行動AP的競爭力將能更上一層樓，同時縮減在晶圓代工市場上與台積電之 間的差距。

三星半導體總負責人金奇南在當日動土儀式上表示，雖然會根據市況來決定生產量增加的規模，但大致來說預期將會增加10%的整體生產量。

對於三星來說，平澤半導體園區是能提升三星DRAM、系統晶片、晶圓代工事業競爭力的重要舞台以及基地。據IC Insider數據，2014年全球半導體市場上排名依序為英特爾、三星以及台積電。三星如果能在晶圓代工以及系統晶片、DRAM事業上加強自身實力，將 有望成未真正的全球綜合半導體第一。

目前三星在華城生產的12吋晶圓月產能為36萬片，如果平澤第一期正式啟動，將有望提升到40萬片以上的水準。目前三星正在進行20奈米製程轉換，如果最 新加入的平澤產線採用10奈米級最尖端製程的話，將可以再次將DRAM競爭對手SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)遠遠甩在後頭。

另一方面，三星在系統晶片的近期發展則是採用了14奈米FinFET製程，強化自家研發的AP以及晶圓代工事業競爭力。雖然三星最近靠著14奈米FinFET製程搶下蘋果AP訂單，不過由於中芯國際正積極準備FinFET製程，而台積電也加快了先進製程的研發速度。

三星若想要維持一定優勢，勢必得準備更加微細化的系統晶片產線。由於三星預計在2016年底量產10奈米FinFET，時機大致與平澤園區第一階段完工時期相近，因此外界推測，平澤產線很有可能採用微細製程。

到2014年底為止，三星半導體事業已經走過了40個年頭。雖然在過去幾年業績急速滑落，但又在2014年時逐步爬升，季營利也回到2兆韓元左右的表現，成為三星在智慧型手機事業走下坡時，首要挺身而出的救援投手。

在三星半導體的下一個40年，平澤能否成功幫助三星半導體在記憶體以及系統晶片事業更上一層樓，也成為了外界觀察的重要指標。