2015/05/29 11:28-陳端武 更新時間：2015/05/29 11:35

 

日本極紫外光微影基礎設施研發中心(Eidec)已開發出高度抗敏的極紫外光(EUV)微影技術。這種金屬氧化物對波長13.5奈米的EUV高度敏感。而 且這種新材料與有機化合物製成的普通抗蝕劑相較之下，更容易吸收EUV輻射，因此將減少微影曝光時間，生產速度較傳統EUV技術快10倍。

根據日經亞洲評論(Nikkei Asian Review)報導，這項突破對晶片效能也會產生重大影響。在晶片製程中，光源波長越短就能蝕刻出更細的電路線。目前用於大規模生產最先進晶片的氟化氬 (ArF)雷射波長為193奈米，可畫出14~15奈米寬的線條。若想有效率地生產電路線比10奈米還細的晶片，勢必要導入EUV微影技術。找到合適的抗 蝕劑已成為此技術的突破點。

ArF雷射微影技術每小時能處理200片矽晶圓。相較之下，使用傳統有機化合物抗蝕劑的EUV微影技術，每小時僅能處理50片矽晶圓。這意味著新技術應可顯著提升EUV微影技術的生產力。

Eidec在實驗中已能利用EUV微影技術以17奈米寬的線條快速建立電路圖。Eidec計劃與英特爾(Intel)、三星電子( Samsung Electronics)及台積電合作持續推進其EUV研發進程。

另方面，影響EUV微影技術效率的光源輸出，目前也已取得重大發展。荷蘭半導體微影設備商ASML已成功將光源由10~20瓦提升至80瓦。台積電以這種80瓦光源每天可處理1,000片晶圓，顯示此技術已非常接近商業可行性。

這種瓦數更高的光源結合Eidec所開發抗蝕劑，10奈米晶片製程進入量產已指日可待。