2015/07/07 02:22-范仁志

羅姆半導體(Rohm Semiconductor)SiC材料晶圓生產線目前正全面由4吋轉為6吋，以因應市場對新材料功率半導體需求的成長。該社研究開發部長中村孝表示，2015年是SiC晶圓6吋化之年，該社將積極把SiC晶圓生產線全轉換成6吋。

羅姆子公司Rohm Apollo是SiC晶圓的前段晶圓廠，正加速進行4吋生產線轉換為6吋生產線的作業，當轉換完成後，羅姆的SiC功率半導體產能將增為現在的2倍以上；相關的後段封測廠如泰國廠、菲律賓廠與南韓廠也將配合進行設備投資。

由於傳統的Si材料功率半導體研發目前已達瓶頸，因此羅姆看好新材料SiC功率半導體的潛能，將之視為未來50年的高成長性產品，積極發展。中村孝表示，SiC功率半導體未來不僅將替代IGBT產品，該社還將積極開拓只有SiC才能開發的市場與需求。

除了比較傳統的電車、電力設施與工具機需求外，羅姆正針對電動車、油電混合車、太陽能發電系統、醫療系統、新款家電與科學研究設備等市場，推銷該社的SiC功率半導體產品，以SiC材料可承受更高電壓的特性，強化相關系統性能，同時擴大該社功率半導體事業。

羅姆的SiC功率半導體技術，源自2009年購併的德國半導體廠SiCrystal；德國在1994年推動SiC單結晶成長技術研發，為推廣研發成果，在 1997年成立SiCrystal公司，2001年起量產SiC晶圓，原本該社的SiC晶圓生產線有2/3/4吋等3種規格，為擴大產能，該廠從2014 年起增加6吋SiC晶圓生產線。

中村孝表示，該社在SiC功率半導體研發上，將針對從傳統Si功率半導體轉換為SiC功率半導體的應用市場，與只有SiC功率半導體才能開發的新市場等雙 方面，積極研發與行銷，提高SiC功率半導體的價值；而隨生產線上晶圓面積的增大，除產能增強外，同時也有助於壓低成本。

功率半導體是用在電源相關系統的半導體，進行電源控制與轉換，傳統均以Si材料半導體為主，但在高功率半導體方面，Si材料短時間內難求大幅進步，而電動 車與智慧電網卻帶來更大的相關需求，因此日本政府與半導體業界均積極推動新材料功率半導體、如SiC或GaN，視為未來的發展重點。