2015/07/09-陳思齊

 

DRAM與NAND Flash市場預期下半年將持續榮景，主要設備廠商業績也有望改善。其中的最大幕後推手就是三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)。

據ET News指出，最主要的原因就在於下半年的設備投資將以NAND Flash為主，而三星正在擴大3D NAND的產量；SK海力士也正在進行年底量產3D NAND的準備。南韓設備廠光是消化三星、SK海力士的新訂單就足以擴大業績。而美光(Micron)、新帝(Sandisk)、東芝(Toshiba) 等廠商也正在如火如荼的準備3D NAND的量產。
 

若將構造由原來以水平組成Cell的2D NAND，改為以垂直堆疊Cell的3D NAND，在生產晶片時，蒸鍍以及蝕刻製程的步驟也將增加。雖然曝光製程維持不變，但蒸鍍將會增加50~60%左右的步驟，而蝕刻也將增加30~40%。 因此，供應蒸鍍以及蝕刻設備的IPS、TES以及PSK等南韓設備廠皆有望受惠。

3D NAND正以大容量資料儲存裝置市場為中心，需求快速成長。此外，除了旗艦智慧型手機外，中低價智慧型手機儲存容量的提升，也加速了3D NAND市場的成長腳步。

三星電子也開始增設位於大陸西安的3D NAND Flash設備，一般認為，三星將會在大陸西安投資量產48階層3D NAND。到2016年初為止，預期將會增設3.5萬片的規模。之後，也預期三星會將原來的32階層NAND轉換為48階層。

隨著三星的擴產，預期將有望強化在3D NAND Flash市場的主導權。目前市場上雖然只有三星已量產3D NAND Flash，但日後隨著競爭對手技術的提升，有可能將會侵蝕三星既有的市場版圖。

市調機構IHS指出，全球NAND Flash市場上，2015年3D產品比重約為4.5%。2016年則將快速提升到21.2%，到了2017年時則將達到近半的41.2%，成長速度驚 人。因此不只是三星，SK海力士、東芝等業者，都計劃在下半年開始進軍3D NAND Flash市場。

SK海力士第二代36層3D NAND研發作業將在第3季初完成，目前正在進行下半年量產3D NAND的準備。2015年底將著手對第三代48層3D NAND進行驗證，開啟第三代NAND時代。

此外，東芝和新帝、美光和英特爾(Intel)也開始建立策略合作關係，共同研發3D NAND。據悉，東芝將於2016年上半將在日本四日市工廠量產128Gb 48層3D NAND。而美光和英特爾則是計劃在年底量產256Gb 32層堆疊MLC NAND和384Gb容量TLC NAND。

另一方面，DRAM由於微細製程的轉換，也預告了另外一波的投資潮。據悉，三星目前20奈米DRAM比重，到第2季為止，約已擴大到20%左右的水準。而 SK海力士25奈米DRAM量尺比重，在第2季也已調整至60%左右。除了25奈米以外，SK海力士也有可能會量產20奈米DRAM，對此南韓設備廠的期 待甚高。

最後，系統晶片量產投資也是備受矚目的領域。南韓業界指出，三星17產線已經優先選擇DRAM生產，不久應該也會決定是否要投資系統晶片。三星最終到底是會選擇DRAM設備？還是系統晶片設備？更是近期所注目的焦點。