日前英特爾(Intel)對外宣布，10奈米晶片將順延至2017年下半推出，讓外界一度認為摩爾定律(Moore's Law)陳述的微縮發展已出現困難。不過，從美西半導體設備暨材料展(SEMICON West)上許多廠商宣布新消息來看，外界若斷定摩爾定律已死的說法仍言過其實。

據PCMag.com報導，外界原先預期英特爾10奈米產品將在2016年底或2017年初推出，不過，執行長Brian Krzanich日前宣布將順延至下半，其另一款14奈米產品線Skylake處理器，則預計2015年第3季開始出貨。

Krzanich也指出，採Skylake架構的14奈米Kaby Lake晶片也會在2016年下半推出，第一代10奈米Cannonlake產品則預計2017年下半會問世。

過去英特爾從22奈米推進至14奈米也傳出延誤，Krzanich認為，每邁進新節點出現延誤，主要是與微影技術及多重曝光步驟有關。他並指出，預期10奈米晶片也還不會採用極紫外光(EUV)。

整體而言，每邁進至新製程節點約需2.5年，在從10奈米進展7奈米時，該公司判斷時程也會繼續觀察EUV是否成熟、材料科學進展與產品複雜度等因素。不 過，對於負責替高通(Qualcomm)、聯發科與NVIDIA等生產晶片的晶圓廠而言，目前晶片微縮進展似乎反而在加速中。

以台積電為例，該公司宣布2017年第1季推出10奈米仍在進度內，2015年第2季16奈米鰭式場效電晶體(FinFET)已量產，同年7月開始出貨給客戶。台積電共同執行長劉德音表示，10奈米製程發展尚在軌道上，預計2017年初可望出貨。

劉德音並指出，相較16奈米製程，10奈米製程速度快上15%、功耗減少35%並擁有2倍閘極密度。如果上述一切按照規劃進行，外界預期以台積電10奈米製程生產的產品，可望比英特爾10奈米生產的產品提早1季出現。

另外，三星電子(Samsung Electronics)日前也表示，2016年底前將開始量產10奈米晶片。該公司並在2015年初生產14奈米FinFET產品Exynos 7 Octa，供其Galaxy S6使用。三星也授權GlobalFoundries使用其14奈米技術，後者客戶包括超微(AMD)。

GlobalFoundries則計劃將推出22奈米全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon On Insulator；FD-SOI)技術。GlobalFoundries指出，新製程技術除可提高效能，也適合主流行動、物聯網(IoT)、射頻 (RF)與網路市場。而且相較14奈米FinFET產品，其製程可減少近5成微影層數進而降低成本。

在美西半導體設備暨材料展上，業者也普遍取得共識，半導體業發展下一步將是尋找新的替代材料，例如矽鍺(SiGe)與砷化銦鎵(InGaAs)。

在微影技術上，晶片設備製造商ASML表示，雖然目標鎖定讓EUV使用在7奈米上，但最多只能使用在5~10層關鍵層，其餘仍需交由193奈米微影完成。該公司也證實，英特爾採購6套EUV系統，預計2套2015年可望交貨。

另外，由於目前DRAM微縮進展已放緩，未來若要在成本或密度上取得進展，則需仰賴額外製程容量、大尺寸晶圓、3D晶片疊層或磁性記憶體(MRAM)等。

至於NAND Flash雖然微縮進展也有難度，但新的3D NAND已是新興焦點，其中三星已開始量產3D NAND。英特爾及美光科技(Micron)與SK海力士(SK Hynix)也預計2015年將量產3D NAND，隔年東芝(Toshiba)與新帝(SanDisk)將跟進。

因此設備廠一致認為，3D NAND進展確實較外界預期快。